Samsung буде випускати NAND-пам'ять по 10-нм техпроцесу

Компанія Samsung Electronics провела церемонію закладки першого каменя у фундамент нового виробничого комплексу в Сіані (Китай). Обладнання, яке встановлять на заводі, дозволить випускати мікросхеми NAND-пам'яті з передового техпроцесу 10-нм класу. Саме ці компоненти є критично важливими для виробництва високошвидкісних і ємкісних засобів зберігання даних.

Згідно з затвердженим планом, завод Samsung по виробництву модулів пам'яті запрацює на повну потужність в 2014 році. Початкові інвестиції компанії Samsung Electronics у фабрику в Сіані складуть $2,3 млрд. поетапно дійшовши до позначки в $7 млрд. Таким чином, будівництво заводу в Китаї стане одним з найбільших інвестиційних проектів в історії компанії.

Місто Сіан був столицею багатьох китайських правлячих династій більше тисячі років, а тепер є визнаною столицею передових ІТ-технологій. У промисловому ландшафті Сиана є всі ключові ресурси, необхідні для виробництва передових ІТ-рішень, включаючи воду і електроенергію, а також солідна база висококваліфікованих співробітників для роботи в сфері R&D і технологій виробництва.

Саме в Сіані 37 університетів і 3 000 R&D центрів, що спеціалізуються на інновації у сфері інформаційних технологій. Для більш тісної інтеграції бізнесу з наукою, компанія Samsung стартувала спеціальну академічну програму співпраці з відомими місцевими університетами, яка буде включати в себе стипендії для обдарованих школярів.