Samsung приступила до виробництва DDR4

Компанія Samsung оголосила про початок масового виробництва модулів оперативної пам'яті DDR4. Нові ОЗП побудовані на базі мікросхем ємністю чотири гігабайти, які виконані по 20-нм техпроцесу. При цьому, модулі оперативної пам'яті DDR4 від Samsung володіють пропускною спроможністю в 2 667 Мбіт/c. Зазначимо, що сучасні DDR3-планки здатні демонструвати і велику швидкість (наприклад в 3 Гбіт/c), однак це стосується лише дорогих топових моделей, в той час як пам'ять DDR4 повинна гарантувати високу пропускну здатність навіть на бюджетних моделях.

Ще однією перевагою DDR4 є менше енергоспоживання. Різниця порівняно з DDR3 може досягати 30%. Постачання модулів оперативної пам'яті DDR4 від Samsung почнуться в 2014 році.